Ученые из Московского физико-технического института и Уральского федерального университета обнаружили новый материал, который может использоваться для создания сверхбыстрой компьютерной памяти. Об этом рассказали в пресс-службе МФТИ. Оказалось, что добавление титана в гексаферрит бария позволяет создать особую подструктуру в кристаллической решетке. Исследователи также проводят работы по изучению фундаментальных свойств мультиферроиках (это материалы, обладающие несколькими упорядочениями). Они находят применение этого вида материалов в «технологиях сверхбыстрой магнитной памяти, терагерцовой (с передачей данных за триллионные доли секунды) телекоммуникации или антирадарных покрытиях». Ученые обнаружили интересные особенности в поведении гексаферрита бария с примесью титана, объединив оптический (терагерцовую спектроскопию) и акустический (исследование поглощения и скорости ультразвука) методы. Объединив оптический (терагерцовую спектроскопию) и акустический (исследование поглощения и скорости ультразвука) экспериментальные методы с целью поподробнее «рассмотреть» гексаферрит бария с примесью титана, ученые пронаблюдали интересные особенности в поведении материала. «Если при исследованиях двумя принципиально различными методиками при одних и тех же температурах наблюдаются некие эффекты, это значит, что что-то происходит в образце на микроскопическом уровне, и надо найти механизм, из-за которого эти эффекты проявляются», - рассказала Людмила Алябьева, руководитель направления «Мультиферроики», старший научный сотрудник лаборатории терагерцовой спектроскопии МФТИ. Ученые обнаружили, что при добавлении титана в гексаферитте бария изменяется характер подрешетки ионов железа. Оказалось, что атомы примеси заставляют часть атомов железа изменять степень окисления, а также образовывать «ян-теллеровскую подрешетку», то есть подструктуру в основной решетке. А титан оказывается на месте некоторых атомов железа. Оказалось, что при добавлении титана в гексаферрите бария изменяется характер подрешетки ионов железа. Атомы примеси заставляют часть атомов железа менять свою степень окисления и образовывать подструктуру в основной решетке — так называемую ян-теллеровскую подрешетку. «Мы впервые обнаружили новый механизм формирования подрешетки ян-теллеровских центров: ее образуют не атомы примеси, как это обычно происходит, а часть атомов исходного кристалла», — добавил Владимир Гудков, профессор Уральского федерального университета. Ученые отметили, что наличие ян-теллеровских подрешеток может привести к появлению необычных свойств кристалла. Например, оказывается возможным «перемагничивать» биты сверхбыстрой компьютерной памяти.