TE: ученые создали технологию памяти SOT-MRAM, которая заменит кэш-память
Ученые из немецкого Университета Йоханнеса Гутенберга добились прогресса в разработке технологии SOT-MRAM, которая придет на смену традиционной кэш-памяти в компьютерах и смартфонах. Об этом сообщило издание TechExplore. Разработка исследователей позволяет повысить эффективность элементов памяти на 30%, параллельно сократив энергозатраты на производство вдвое. Новая технология позволит без искажений хранить файлы более 10 лет. Основой разработки стал орбитальный эффект Холла – явление, позволившее ученым задействовать орбитальные токи. Если раньше при изготовлении элементов памяти требовались дорогостоящие металлы, такие как платина или вольфрам, то теперь производители смогут использовать более дешевые альтернативы без ущерба качеству продукта.  Технология поможет усовершенствовать как популярные гаджеты, так и суперкомпьютеры. Ранее британские ученые использовали один из них для симуляции Вселенной.
ОТР - Общественное Телевидение России
marketing@ptvr.ru
+7 499 755 30 50 доб. 3165
АНО «ОТВР»
1920
1080
TE: ученые создали технологию памяти SOT-MRAM, которая заменит кэш-память
Ученые из немецкого Университета Йоханнеса Гутенберга добились прогресса в разработке технологии SOT-MRAM, которая придет на смену традиционной кэш-памяти в компьютерах и смартфонах. Об этом сообщило издание TechExplore. Разработка исследователей позволяет повысить эффективность элементов памяти на 30%, параллельно сократив энергозатраты на производство вдвое. Новая технология позволит без искажений хранить файлы более 10 лет. Основой разработки стал орбитальный эффект Холла – явление, позволившее ученым задействовать орбитальные токи. Если раньше при изготовлении элементов памяти требовались дорогостоящие металлы, такие как платина или вольфрам, то теперь производители смогут использовать более дешевые альтернативы без ущерба качеству продукта.  Технология поможет усовершенствовать как популярные гаджеты, так и суперкомпьютеры. Ранее британские ученые использовали один из них для симуляции Вселенной.
Ученые из немецкого Университета Йоханнеса Гутенберга добились прогресса в разработке технологии SOT-MRAM, которая придет на смену традиционной кэш-памяти в компьютерах и смартфонах. Об этом сообщило издание TechExplore. Разработка исследователей позволяет повысить эффективность элементов памяти на 30%, параллельно сократив энергозатраты на производство вдвое. Новая технология позволит без искажений хранить файлы более 10 лет. Основой разработки стал орбитальный эффект Холла – явление, позволившее ученым задействовать орбитальные токи. Если раньше при изготовлении элементов памяти требовались дорогостоящие металлы, такие как платина или вольфрам, то теперь производители смогут использовать более дешевые альтернативы без ущерба качеству продукта.  Технология поможет усовершенствовать как популярные гаджеты, так и суперкомпьютеры. Ранее британские ученые использовали один из них для симуляции Вселенной.